Institute for Design Problems in Microelectronics, Výzkumný ústav v Moskvě, Rusko
Institut pro problémy designu v mikroelektronice je výzkumné zařízení v Moskvě zaměřené na automatizaci návrhu nano a mikroelektronických systémů. Jeho laboratoře jsou vybaveny specializovanými nástroji pro podporu pokročilého výzkumu v tomto oboru.
Zařízení bylo založeno v roce 1986 a působí pod National Research Center Kurchatov Institute jako součást Russian Academy of Sciences. Tato příslušnost formovala jeho vývoj od jeho založení.
Institut pořádá pravidelné vědecké konference a soutěže, které spojují výzkumníky z celého Ruska. Tato setkání se stala důležitými místy setkávání pro lidi pracující ve výzkumu a vývoji mikroelektroniky.
Institut se nachází ve vyhrazené výzkumné oblasti Moskvy s moderními laboratorními zařízeními. Návštěvníci by měli vědět, že se jedná o výzkumné zařízení s omezeným přístupem a obvykle je nutné předchozí domluvy.
Zařízení spolupracuje s 11 technologickými společnostmi na zřízení centra designu mikroelektroniky s plným cyklem. Přibližně 50 vědců a inženýrů vyvíjí inovativní řešení pro polovodičový průmysl v tomto kolaborativním centru.
Komunita zvídavých cestovatelů
AroundUs spojuje tisíce vybraných míst, místních tipů a skrytých pokladů, které každý den obohacuje více než 90 758 přispěvatelů z celého světa.
